Меры перемещения

Мера перемещения вертикального типа Мера перемещения горизонтального типа

 

       В ООО «Нано-Атто Метрия» разработаны уникальные, не имеющие аналогов прецизионные меры основанные на управляемом перемещении под воздействием напряжения (запатентованные по PCT W02012/163378A2).

       Меры перемещения являются эталоном 1-го разряда, предназначенными для воспроизведения и передачи единицы длины в нанометровом диапазоне.

Меры перемещения, измерялись:

  • в Европейском метрологическом центре (PTB Germany) на установке SIS Nanostation.
  • в организации Системы Микроскопии и Анализа- Российском филиале транснациональной корпорации FEI, на нанотехнологической установке Quanta 3D (Москва).
  • в транснациональной корпорации FEI  в Голландии на нанотехнологической установке Quanta 3D.
  • ВНИИМС на метрологическом приборном комплексеинтерферометре с метрологическим гелий неоновым лазером.
  • В МИРЭА на когерентном фазовом микроскопе лаборатории когерентно фазовой микроскопии.

 

Преимущества мер перемещения

  • Позволяют заменить любой набор статических мер в том же диапазоне.
  • Обеспечивают перемещение во всем нанометровом диапазоне 1-100нм и более. Величина перемещения прямо пропорциональна величине управляющего напряжения.
  • Минимальный передаваемый размер может быть размером с атом и многократно менее (что невозможно на базе традиционных статических мер).
  • Неопределенность передачи размеров составляет доли нанометра и менее.
  • Реальный срок службы превышает десятки лет, т.к. величина перемещения отсчетной поверхности не зависит от формы и её состояния.
  • Возможна работа в практически любых условиях, а не только в «чистых комнатах» и вакууме.
  • Для проведения измерений быстродействия следящих систем выпускаются динамические меры с временем реакции менее десятитысячной доли секунды.

Типы мер перемещения

       В мерах перемещения применяются монокристаллические материалы с обратным пьезоэффектом, характеризующиеся пренебрежимо малым гистерезисом и крипом. В зависимости от соотношения направления кристаллографических осей изменяется направление перемещения отсчетной поверхности. В результате, возможно создавать кристаллы характеризующиеся вертикальным или горизонтальным направлением перемещения и меры вертикального или горизонтального перемещения на их основе.  В зависимости от конструктивного исполнения выпускаются корпусные или безкорпусные меры перемещения.